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VFT245CBP中文资料

厂家型号

VFT245CBP

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4

功能描述

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 5.0 A

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

VFT245CBP数据手册规格书PDF详情

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• TJ 200 °C max. in solar bypass mode application

更新时间:2022-6-12 10:12:00
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