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VFBI30120S中文资料

厂家型号

VFBI30120S

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4

功能描述

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A

数据手册

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简称

VISHAY威世

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

威世科技公司官网

VFBI30120S数据手册规格书PDF详情

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB

package)

• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per

JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and

TO-262AA package)

更新时间:2025-11-30 10:50:00
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