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VBT345CBP-3E中文资料

厂家型号

VBT345CBP-3E

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4

功能描述

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.30 V at IF = 5.0 A

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

威世科技半导体官网

VBT345CBP-3E数据手册规格书PDF详情

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 245 °C

• TJ 200 °C max. in solar bypass mode application

更新时间:2025-8-7 8:31:00
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