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VB30M120C-M3SLASHI中文资料

厂家型号

VB30M120C-M3SLASHI

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4

功能描述

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A

数据手册

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简称

VISHAY威世

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

威世科技公司官网

VB30M120C-M3SLASHI数据手册规格书PDF详情

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 245 °C

更新时间:2025-10-15 9:30:00
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