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VB20120S-M3SLASH8W中文资料

厂家型号

VB20120S-M3SLASH8W

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4

功能描述

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

VB20120S-M3SLASH8W数据手册规格书PDF详情

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 245 °C (for TO-263AB package)

更新时间:2025-9-30 15:49:00
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