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V8P22C-M3SLASHH中文资料

厂家型号

V8P22C-M3SLASHH

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功能描述

High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.61 V at IF = 2 A

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

V8P22C-M3SLASHH数据手册规格书PDF详情

• Very low profile - typical height of 1.1 mm

• Ideal for automated placement

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency

• Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified available

- Automotive ordering code: base P/NHM3

更新时间:2021-9-14 10:50:00
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