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V30DM120C-M3SLASHI中文资料

厂家型号

V30DM120C-M3SLASHI

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5

功能描述

Dual TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 5 A

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

V30DM120C-M3SLASHI数据手册规格书PDF详情

• Trench MOS Schottky technology

• Very low profile - typical height of 1.7 mm

• Ideal for automated placement

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• AEC-Q101 qualified available:

- Automotive ordering code: base P/NHM3

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak

of 260 °C

更新时间:2021-9-14 10:50:00
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