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V20200G-E3-4W中文资料

厂家型号

V20200G-E3-4W

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160.45Kbytes

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5

功能描述

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

V20200G-E3-4W数据手册规格书PDF详情

Ultra Low VF = 0.62 V at IF = 5 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Low thermal resistance

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB and TO-262AA package)

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

  For use in high frequency converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, dc-to-dc converters and reverse battery protection.

 

V20200G-E3-4W产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    V20200G-E3-4W

  • 制造商

    VISHAY

  • 制造商全称

    Vishay Siliconix

  • 功能描述

    Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
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