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SIZ902DT-T1-GE3中文资料

厂家型号

SIZ902DT-T1-GE3

文件大小

231.67Kbytes

页面数量

14

功能描述

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

MOSFET 30V 16/16A 29/66W 12/6.4mOhms @ 10V

数据手册

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简称

VISHAY威世

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

威世科技公司官网

SIZ902DT-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIZ902DT-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 16/16A 29/66W 12/6.4mOhms @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 16:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
2025+
PowerPAIR6x5
5000
原装进口,免费送样品!
VISHAY
2024+
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29840
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管
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原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百

SIZ902DT-T1-GE3 价格

参考价格:¥3.6814

型号:SIZ902DT-T1-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SIZ902DT-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIZ902DT-T1-GE3批发/采购报价,SIZ902DT-T1-GE3行情走势销售排排榜,SIZ902DT-T1-GE3报价。