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SIZ902DT-T1-GE3中文资料
SIZ902DT-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIZ902DT-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 30V 16/16A 29/66W 12/6.4mOhms @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
24+ |
8-PowerWDFN |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
VISHAY |
24+ |
QFN8 |
5000 |
只做原装公司现货 |
|||
VISHAY |
20+ |
DFN-8 |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
VISHAY |
23+ |
QFN-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VISHAY |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
VISHAY |
25+ |
QFN8 |
18000 |
原厂原装,价格优势 |
|||
VISHAY |
1912+ |
QFN |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VISHAY |
23+24 |
QFN8 |
29840 |
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管 |
|||
Vishay Siliconix |
25+ |
8-PowerWDFN |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
SIZ902DT-T1-GE3 价格
参考价格:¥3.6814
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- 2603430000
- 2603440000
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- AM2342E3R
- AM2342E3VR
- ATS-20A-102-C3-R0
- D83-004
- DG333AL
- IPB60R380C6
- JR28-RYG-DLCM1
- JR28-RYG-DLCM115
- JR28-RYG-DLCT1
- JR28-RYG-DLDP215
- MAX3663
- MAX3663ETG
- MAX3663ETG+
- MAX3667E/D
- RC203
- SIZ900DT
- SIZ900DT_V01
- SIZ902DT
- SIZ902DT_V01
- SIZ904DT
- SIZ904DT_V01
- SIZ904DT-T1-GE3
- SIZ916DT
- SIZ916DT_V01
- SWD1N60C
Datasheet数据表PDF页码索引
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Vishay Siliconix 威世科技半导体
Vishay的旅程始于Felix Zandman博士和一项革命性的技术。从那时起,我们将在几十年内不断发展壮大,达到今天的地位:世界上最值得信赖的电子元件制造商之一。从分立式半导体到无源元件;从最小的二极管到最强大的电容器,Vishay我们称之为技术的DNA。® 这种DNA不仅仅是当今最重要的电子产品的基础设施,它还是实现增长的平台。Vishay处于有利地位,可以推动可持续性、连通性和移动性等及时的宏观经济增长动力。通过研发、制造、工程、质量、销售和市场营销,我们产生了必要的组件,使发明者和创新者能够创造新一代产品,这些产品跨越许多领域:汽车、工业、消费品、计算机、电信、军事、航空航天和医疗