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精确

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FEATURES

• TrenchFET® Gen IV power MOSFET

• Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

• Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

• 100 Rg and UIS tested

• Material categorization: for definitions of

compliance please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

• DC/DC conversion topologies

• Bus converters

• Synchronous rectification

• Primary side switch

SISS76LDN供应商...

更新时间：2025-11-3 9:54:00

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