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芯片资料

精确

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FEATURES

• TrenchFET® Gen IV power MOSFET

• 40 V drain-source break-down voltage

• Tuned for low Qg and Qoss

• 100 Rg and UIS tested

• Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

• Synchronous rectification

• High power density DC/DC

• Motor drive control

SIRA54ADP供应商...

更新时间：2021-9-14 10:50:00

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