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SIRA10DP中文资料

厂家型号

SIRA10DP

文件大小

530.37Kbytes

页面数量

13

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

MOSFET 30V 3.7mOhm@10V 30A N-Ch G-IV

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

威世科技半导体官网

SIRA10DP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIRA10DP

  • 功能描述

    MOSFET 30V 3.7mOhm@10V 30A N-Ch G-IV

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-9 19:39:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
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SIRA10DP-T1-GE3 价格

参考价格:¥2.5980

型号:SIRA10DP-T1-GE3 品牌:VISHAY 备注:这里有SIRA10DP多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIRA10DP批发/采购报价,SIRA10DP行情走势销售排排榜,SIRA10DP报价。