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SIR662DP-T1-GE3中文资料

厂家型号

SIR662DP-T1-GE3

文件大小

510.11Kbytes

页面数量

13

功能描述

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SIR662DP-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIR662DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-6 14:00:00
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SIR662DP-T1-GE3 价格

参考价格:¥5.8212

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