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SIR330DP-T1-GE3中文资料

厂家型号

SIR330DP-T1-GE3

文件大小

508.33Kbytes

页面数量

13

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

MOSFET 30 Volts 35 Amps 27.7 Watts

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SIR330DP-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIR330DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30 Volts 35 Amps 27.7 Watts

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-8 10:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
24+
DFN5*6
502598
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
VISHAY
2016+
QFN-8
3500
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VISHAY
25+
DFN-8
3000
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VISHAY/威世
23+
PAKSO-8
7000
Vishay(威世)
24+
N/A
11800
可配单提供样品
Vishay(威世)
25+
N/A
8800
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VISHAY/威世通
20+
DFN56
32550
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VISHAY/威世
23+
PAKSO-8
50000
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VISHAY/威世
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VISHAY/威世
21+
QFN-8
10000
原装现货假一罚十