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SIHW30N60E中文资料

厂家型号

SIHW30N60E

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226.43Kbytes

页面数量

8

功能描述

Reduced switching and conduction losses

MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SIHW30N60E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHW30N60E

  • 功能描述

    MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-7 14:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
25+
TO-247
9600
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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3200
只做原厂渠道 可追溯货源
VISHAY(威世)
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TO-247
8145
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
VISHAY/威世
24+
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SIHW30N60E-GE3 价格

参考价格:¥20.7380

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