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SIHG73N60E-E3中文资料
SIHG73N60E-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIHG73N60E-E3
- 功能描述
MOSFET 650 Volts 73 Amps 520 Watts
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-10-11 9:16:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TO-247 |
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