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SIHG33N60E中文资料

厂家型号

SIHG33N60E

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198.24Kbytes

页面数量

8

功能描述

Reduced switching and conduction losses

MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS

数据手册

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简称

VISHAY威世

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

威世科技公司官网

SIHG33N60E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHG33N60E

  • 功能描述

    MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-5 10:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
25+
TO-247
20000
原装现货假一罚十
VISHAY/威世
25+
TO-247
32360
VISHAY/威世全新特价SIHG33N60E-GE3即刻询购立享优惠#长期有货
VISHAY
17+
30
TO-247-3
VISHAY
26+
8000
华南区总代
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17+
TO-247-3
30
15年光格 只做原装正品

SIHG33N60E-GE3 价格

参考价格:¥21.5373

型号:SIHG33N60E-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SIHG33N60E多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIHG33N60E批发/采购报价,SIHG33N60E行情走势销售排排榜,SIHG33N60E报价。