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SIE882DF-T1-GE3中文资料
SIE882DF-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIE882DF-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 25V 229A 125W 1.4mohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-12-6 14:16:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
25+ |
10-PAK |
1675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
PolarPAK-10 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
INFINEON |
24+ |
QFP |
643 |
||||
INFINEON |
23+ |
QFP |
8000 |
只做原装现货 |
|||
INFINEON |
23+ |
QFP |
7000 |
||||
SILICON LABS |
25+ |
5000 |
只做原装鄙视假货15118075546 |
||||
SUNTECHNIC COMPANY LTD |
两年内 |
NA |
102 |
实单价格可谈 |
|||
24+ |
DIP28 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
||||
STMICROEL |
23+ |
NA |
1367 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
Agilent |
15+ |
6698 |
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- SIC779
- SiC779CD-T1-GE3
- SIDB766707
- SIDB766707-B
- SIE726DF
- SIE822DF-T1-E3
- SIE822DF-T1-GE3
- SIE832DF-T1-GE3
- SIE848DF
- SIE848DF_09
- SIE860DF
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Datasheet数据表PDF页码索引
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