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SIE800DF-T1-E3中文资料

厂家型号

SIE800DF-T1-E3

文件大小

169.98Kbytes

页面数量

10

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

MOSFET 30V 50A 104W 7.2mohm @ 10V

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SIE800DF-T1-E3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition

• Extremely Low Qgd for Low Switching Losses

• TrenchFET®Power MOSFET

• Ultra Low Thermal Resistance Using Top Exposed PolarPAK® Package for Double-Sided Cooling

• Leadframe-Based New Encapsulated Package

- Die Not Exposed

- Same Layout Regardless of Die Size

• Low Qgd/Qgs Ratio Helps Prevent Shoot-Through

• 100 Rg and UIS Tested

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

•VRM

• DC/DC Conversion: High-Side

• Synchronous Rectification

 

SIE800DF-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIE800DF-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 50A 104W 7.2mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-5 10:18:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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