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SIB914DK-T1-GE3中文资料

厂家型号

SIB914DK-T1-GE3

文件大小

214.01Kbytes

页面数量

9

功能描述

Dual N-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET

MOSFET 8.0V 1.5A 3.1W 113mohm @ 4.5V

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

威世科技半导体官网

LOGO

SIB914DK-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIB914DK-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 8.0V 1.5A 3.1W 113mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-30 16:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
2024+
N/A
70000
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VISHAY
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na
65790
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VISHAY/威世
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PowerPAKSC-75-6
7500
PRISEMI
23+
DFN2020-6
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO

SIB914DK-T1-GE3 价格

参考价格:¥1.1986

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Vishay Siliconix 威世科技半导体

中文资料: 360024条

Vishay的旅程始于Felix Zandman博士和一项革命性的技术。从那时起,我们将在几十年内不断发展壮大,达到今天的地位:世界上最值得信赖的电子元件制造商之一。从分立式半导体到无源元件;从最小的二极管到最强大的电容器,Vishay我们称之为技术的DNA。® 这种DNA不仅仅是当今最重要的电子产品的基础设施,它还是实现增长的平台。Vishay处于有利地位,可以推动可持续性、连通性和移动性等及时的宏观经济增长动力。通过研发、制造、工程、质量、销售和市场营销,我们产生了必要的组件,使发明者和创新者能够创造新一代产品,这些产品跨越许多领域:汽车、工业、消费品、计算机、电信、军事、航空航天和医疗