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SIB900EDK-T1-GE3中文资料

厂家型号

SIB900EDK-T1-GE3

文件大小

229.86Kbytes

页面数量

9

功能描述

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

MOSFET 20V 1.5A 3.1W 225mohm @ 4.5V

数据手册

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简称

VISHAY威世

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

威世科技公司官网

SIB900EDK-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIB900EDK-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 1.5A 3.1W 225mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-20 10:22:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
24+
DFN
5000
只做原装公司现货
VISHAY
25+
SC-75-6
3675
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VISHAY
23+
DFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
VISHAY
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
VISHAY/威世
23+
DFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
VISHAY/威世
21+
DFN
10000
原装现货假一罚十
VISHAY/威世
24+
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VISHAY/威世
24+
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11+
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SIB900EDK-T1-GE3 价格

参考价格:¥1.5607

型号:SIB900EDK-T1-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SIB900EDK-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIB900EDK-T1-GE3批发/采购报价,SIB900EDK-T1-GE3行情走势销售排排榜,SIB900EDK-T1-GE3报价。