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SIA447DJ-T1-GE3中文资料

厂家型号

SIA447DJ-T1-GE3

文件大小

232.86Kbytes

页面数量

10

功能描述

P-Channel 12 V (D-S) MOSFET

MOSFET -12V 13.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III

数据手册

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简称

VISHAY威世

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SIA447DJ-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIA447DJ-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET -12V 13.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-13 17:23:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
25+
DFN2020-8S
20300
VISHAY/威世原装特价SIA447DJ-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货
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VISHAY/威世
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502692
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

SIA447DJ-T1-GE3 价格

参考价格:¥1.0260

型号:SIA447DJ-T1-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SIA447DJ-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIA447DJ-T1-GE3批发/采购报价,SIA447DJ-T1-GE3行情走势销售排排榜,SIA447DJ-T1-GE3报价。