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SI8429DB-T1-E1中文资料

厂家型号

SI8429DB-T1-E1

文件大小

215.06Kbytes

页面数量

11

功能描述

P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET

MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SI8429DB-T1-E1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI8429DB-T1-E1

  • 功能描述

    MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-7 13:44:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
24+
BGA
23000
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VISHAY(威世)
24+
MicroFoot-4
9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
VISHAY
23+
4-MFP
20000
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23+
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SI8429DB-T1-E1 价格

参考价格:¥2.5167

型号:SI8429DB-T1-E1 品牌:Vishay 备注:这里有SI8429DB-T1-E1多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI8429DB-T1-E1批发/采购报价,SI8429DB-T1-E1行情走势销售排排榜,SI8429DB-T1-E1报价。