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SI7860DP-T1中文资料

厂家型号

SI7860DP-T1

文件大小

147.5Kbytes

页面数量

7

功能描述

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET

MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V

数据手册

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简称

VISHAY威世

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SI7860DP-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI7860DP-T1

  • 功能描述

    MOSFET 30V 18A 5.0W 8.0mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-10 16:13:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
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SI7860DP-T1-E3 价格

参考价格:¥8.7941

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