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SI7491DP-T1-E3中文资料
SI7491DP-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI7491DP-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-10-9 18:51:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
PowerPAKSO-8 |
20300 |
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VISHAY |
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VISHAY |
17+ |
QFN |
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VISHAY |
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QFN8 |
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VISHAY |
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QFN |
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VISHAY |
原厂封装 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
QFN8 |
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全新原装正品支持含税 |
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