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SI7252DP-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI7252DP-T1-GE3

文件大小

382Kbytes

页面数量

13

功能描述

Dual N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SI7252DP-T1-GE3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• TrenchFET® power MOSFET

• 100 Rg and UIS tested

• Material categorization:

for definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

• Primary side switching

• Synchronous rectification

• DC/AC inverters

SI7252DP-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI7252DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-7 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SI7252DP-T1-GE3 价格

参考价格:¥5.9929

型号:SI7252DP-T1-GE3 品牌:Vishay Siliconix 备注:这里有SI7252DP-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI7252DP-T1-GE3批发/采购报价,SI7252DP-T1-GE3行情走势销售排排榜,SI7252DP-T1-GE3报价。