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SI5853DC-T1-E3中文资料

厂家型号

SI5853DC-T1-E3

文件大小

180.17Kbytes

页面数量

9

功能描述

P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode

MOSFET 20V 3.6A 2.1W

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SI5853DC-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI5853DC-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 3.6A 2.1W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-6 20:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay(威世)
24+
标准封装
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VISHAY/威世
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原装现货,随时欢迎询价
VISHAY/威世
2019+
1206-8
3333
原厂渠道 可含税出货
VISHAY/威世
24+
SOT23-8
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