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SI5504BDC-T1-GE3中文资料
SI5504BDC-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI5504BDC-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET N/P-CH 30V 1206-8
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列
TrenchFET®
- 产品目录绘图
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装
1
- 系列
- FET
- 型
2 个 N 沟道(双) FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
- 功率 -
- 最大
1.4W
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装
PowerPAK? SO-8
- 包装
Digi-Reel®
- 产品目录页面
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
SI7948DP-T1-GE3DKR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
24+ |
8-SMD,扁平引线 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
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Vishay(威世) |
2249+ |
1206-ChipFET-8 |
58414 |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
|||
VISHAY(威世) |
24+ |
ChipFET1206-8 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
VISHAY |
1809+ |
1206-8 |
3675 |
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|||
VISHAY |
1844+ |
NA |
9852 |
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VISHAY |
24+ |
N/A |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
VISHAY |
24+ |
3K/reel |
3161 |
||||
vishay |
21+ |
3000 |
原装正品现货 |
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Vishay |
23+ |
SI5504BDC-T1-GE3 |
5864 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
SI5504BDC-T1-GE3 价格
参考价格:¥1.3461
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Datasheet数据表PDF页码索引
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- P99
- P100
Vishay Siliconix 威世科技半导体
Vishay的旅程始于Felix Zandman博士和一项革命性的技术。从那时起,我们将在几十年内不断发展壮大,达到今天的地位:世界上最值得信赖的电子元件制造商之一。从分立式半导体到无源元件;从最小的二极管到最强大的电容器,Vishay我们称之为技术的DNA。® 这种DNA不仅仅是当今最重要的电子产品的基础设施,它还是实现增长的平台。Vishay处于有利地位,可以推动可持续性、连通性和移动性等及时的宏观经济增长动力。通过研发、制造、工程、质量、销售和市场营销,我们产生了必要的组件,使发明者和创新者能够创造新一代产品,这些产品跨越许多领域:汽车、工业、消费品、计算机、电信、军事、航空航天和医疗