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SI5458DU-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI5458DU-T1-GE3

文件大小

157.54Kbytes

页面数量

10

功能描述

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

MOSFET 30V 6.0A 10.4W 51mohm @ 4.5V

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SI5458DU-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI5458DU-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 6.0A 10.4W 51mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-8 13:44:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY(威世)
24+
ChipFET-8
9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
VISHAY
25+
DFN-8
3675
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
Vishay / Siliconix
2025+
ChipFET-8
56303
VISHAY(威世)
2447
ChipFET-8
315000
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VISHAY
24+
5000
有部份现货
VISHAY
20+
50
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Vishay Siliconix
22+
PowerPAK? ChipFET? Single
9000
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Vishay(威世)
24+
NA/
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VISHAY/威世
24+
DFN
60000
全新原装现货
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SI5458DU-T1-GE3 价格

参考价格:¥1.2842

型号:SI5458DU-T1-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SI5458DU-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI5458DU-T1-GE3批发/采购报价,SI5458DU-T1-GE3行情走势销售排排榜,SI5458DU-T1-GE3报价。