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SI3590DV-T1-E3中文资料
SI3590DV-T1-E3数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• TrenchFET® power MOSFET
• Ultra low RDS(on) n- and p-channel for high
efficiency
• Optimized for high side / low side
• Minimized conduction losses
• Material categorization: for definitions of
compliance please see www.vishay.com/doc?99912
APPLICATIONS
• Portable devices including PDAs, cellular phones, and
pagers
SI3590DV-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI3590DV-T1-E3
- 功能描述
MOSFET N&P-CH 30V(D-S)
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-10-10 10:18:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
20+ |
TO23-6 |
6000 |
绝对全新原装现货,欢迎来电查询 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
SOT23-6 |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
|||
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
VISHAY |
24+ |
原厂封装 |
120000 |
VISHAY代理原包原盒,假一罚十。最低价 |
|||
VISHAY(威世) |
23+ |
N/A |
23500 |
最新到货,只做原装进口 |
|||
VISHAY(威世) |
TSOP-6 |
4260 |
全新原装正品现货可开票 |
||||
VISHAY(威世) |
24+ |
SOT-23-6 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
VISHAY |
2016+ |
SOT23-6 |
7605 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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VISHAY |
24+ |
TSOP-6 |
6232 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
VISHAY |
25+ |
TSOP-6 |
2987 |
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SI3590DV-T1-E3 价格
参考价格：￥1.2328
型号：SI3590DV-T1-E3 品牌：Vishay 备注：这里有SI3590DV-T1-E3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SI3590DV-T1-E3批发/采购报价，SI3590DV-T1-E3行情走势销售排排榜，SI3590DV-T1-E3报价。
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Datasheet数据表PDF页码索引
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