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位置：SI3410DV-T1-E3 > SI3410DV-T1-E3详情

SI3410DV-T1-E3中文资料

SI3410DV-T1-E3
厂家型号

SI3410DV-T1-E3
文件大小

142.64Kbytes
页面数量

7页
功能描述

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

MOSFET 30V 8.0A 4.1W 19.5mohm @ 10V
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载
简称

VISHAY【威世科技】

生产厂商

Vishay Siliconix
中文名称

官网

相近规格书

SI3410DV-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3410DV-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 8.0A 4.1W 19.5mohm @ 10V

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

SI3410DV-T1-E3供应商...

更新时间：2025-10-7 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市河锋鑫科技有限公司
Si3410DV-T1-E3超小型管
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