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SI2333DDS-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI2333DDS-T1-GE3

文件大小

231.95Kbytes

页面数量

10

功能描述

P-Channel 12 V (D-S) MOSFET

MOSFET -12V 28mOhm@4.5V 6A P-Ch G-III

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

官网

SI2333DDS-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI2333DDS-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET -12V 28mOhm@4.5V 6A P-Ch G-III

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-7 15:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
16+
SOT-23
16500
进口原装现货/价格优势!
VISHAY
24+
SOT-23
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Vishay(威世)
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SOT-23(SOT-23-3)
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VISHAY(威世)
24+
SOT-23
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24+
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VISHAY/威世
24+
SOT-23
501929
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VISHAY/威世
2019+
SOT-23
78550
原厂渠道 可含税出货

SI2333DDS-T1-GE3 价格

参考价格:¥0.7748

型号:SI2333DDS-T1-GE3 品牌:VISHAY 备注:这里有SI2333DDS-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI2333DDS-T1-GE3批发/采购报价,SI2333DDS-T1-GE3行情走势销售排排榜,SI2333DDS-T1-GE3报价。

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