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SI2333CDS-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI2333CDS-T1-GE3

文件大小

201.32Kbytes

页面数量

8

功能描述

P-Channel 12 V (D-S) MOSFET

MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V

数据手册

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简称

VISHAY威世科技

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

威世科技半导体官网

SI2333CDS-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI2333CDS-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-8 10:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
22+
SOT-23-3
8000
原装现货,有单必成
VISHAY/威世
25+
SOT-23
39451
VISHAY/威世全新特价SI2333CDS-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货
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SOT-23
32500
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SOT-23
30000
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VISHAY
19+
33000
SOT-23-3 (TO-236)
VISHAY
23+
SOT-23
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VISHAY(威世)
23+
N/A
23500
最新到货,只做原装进口

SI2333CDS-T1-GE3 价格

参考价格:¥0.7134

型号:SI2333CDS-T1-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SI2333CDS-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI2333CDS-T1-GE3批发/采购报价,SI2333CDS-T1-GE3行情走势销售排排榜,SI2333CDS-T1-GE3报价。

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