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位置：SI1070X-T1-E3 > SI1070X-T1-E3详情

SI1070X-T1-E3中文资料

SI1070X-T1-E3
厂家型号

SI1070X-T1-E3
文件大小

97.65Kbytes
页面数量

6页
功能描述

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

MOSFET 30V 1.2A 236mW 99mohm @ 4.5V
数据手册

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简称

VISHAY【威世科技】

生产厂商

Vishay Siliconix
中文名称

官网

相近规格书

SI1070X-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI1070X-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 1.2A 236mW 99mohm @ 4.5V

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

SI1070X-T1-E3供应商...

更新时间：2025-10-7 10:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市金华微盛电子有限公司
SI1070X-T1-E3
VISHAY/威世
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