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MBRF10xxx-E3中文资料

厂家型号

MBRF10xxx-E3

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138.67Kbytes

页面数量

5

功能描述

High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

数据手册

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简称

VISHAY威世

生产厂商

Vishay Siliconix

中文名称

威世科技公司官网

MBRF10xxx-E3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Lower power losses, high efficiency

• Low forward voltage drop

• High forward surge capability

• High frequency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)

• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AC and ITO-220AC package)

• Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency rectifier of switching mode power supplies, freewheeling diodes, DC/DC converters or polarity protection application.

更新时间:2025-12-15 15:32:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
GeneSiC Semiconductor
22+
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