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MBR10XXX-E3数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Lower power losses, high efficiency
• Low forward voltage drop
• High forward surge capability
• High frequency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AC and ITO-220AC package)
• Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912
TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency rectifier of switching mode power supplies, freewheeling diodes, DC/DC converters or polarity protection application.
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
20+ |
na |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
VISHAY |
23+ |
DO-41/DO-204AL- |
7750 |
全新原装优势 |
|||
MOT |
05+ |
原厂原装 |
21510 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
ON |
19+ |
DO-41 |
82705 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂; |
|||
DIP |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
ON |
25+23+ |
DO-41 |
18704 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
ON |
19+ |
DO-41 |
30000 |
原装正品,价格优 |
|||
IR |
24+ |
3000 |
公司现货 |
||||
IR |
2016+ |
DO-41 |
6528 |
房间原装进口现货假一赔十 |
|||
IR |
17+ |
DO |
6200 |
100%原装正品现货 |
MBR10XXX-E3 资料下载更多...
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- C1812H124C1GACT250
- C2220H124D3GACT250
- C2220H124F1GACT250
- C2220H124F4GACT250
- C2220H124K8GACT250
- C2220H124M4GACT250
- M2012TJW05-FA
- M2012TJW06-FA
- M2018TJG05-FA
- M2022TJA06-FA
- M2022TJG06-FA
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- MHQ1005P24NGT000_17
- MHQ1005P3N6ST000
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- RTS-312-R
- SFM60-HKBT3K02
- SFM60-HLBT4K02
- V20PWM45C
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P99
- P100
Vishay Siliconix 威世科技半导体
Vishay的旅程始于Felix Zandman博士和一项革命性的技术。从那时起,我们将在几十年内不断发展壮大,达到今天的地位:世界上最值得信赖的电子元件制造商之一。从分立式半导体到无源元件;从最小的二极管到最强大的电容器,Vishay我们称之为技术的DNA。® 这种DNA不仅仅是当今最重要的电子产品的基础设施,它还是实现增长的平台。Vishay处于有利地位,可以推动可持续性、连通性和移动性等及时的宏观经济增长动力。通过研发、制造、工程、质量、销售和市场营销,我们产生了必要的组件,使发明者和创新者能够创造新一代产品,这些产品跨越许多领域:汽车、工业、消费品、计算机、电信、军事、航空航天和医疗