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IRFIBC30G数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
FEATURES
• Isolated Package
• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm
• Dynamic dV/dt Rating
• Low Thermal Resistance
• Lead (Pb)-free Available
IRFIBC30G产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFIBC30G
- 功能描述
MOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
VISHAY |
24+ |
TO-220 |
12000 |
VISHAY专营进口原装现货假一赔十 |
|||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2203 Isolated Tab |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Vishay Siliconix |
21+ |
TO2203 Isolated Tab |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
2860 |
全新原装热卖/假一罚十!更多数量可订货 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
15000 |
全新原装现货,假一赔十. |
|||
IR |
24+ |
TO 220F |
161280 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
IR |
21+ |
TO-220F |
2200 |
原装现货假一罚十 |
|||
IR |
23+ |
TO-220F |
9896 |
||||
IR |
05+ |
TO-220 |
4000 |
自己公司全新库存绝对有货 |
IRFIBC30GPBF 价格
参考价格:¥9.3553
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- DBD250
- EC4406C
- ENA0529
- ENA0941
- ENA1016
- ENA1042
- IRFIB5N50LPBF
- M38502E4-XXXFP
- M38503E4-XXXFP
- M38503M4-XXXFP
- M38508EC-XXXSS
- M38508M4-XXXFP
- M38509F3-XXXFP
- MAL210483153E3
- MAL210483223E3
- RNRH10R0BRRSL
- RNRH3014FPRSL
- RNRJ2152DPRSL
- RNRK2152BPRSL
- SIHFI9640G-E3
- SIHFIB5N50L-E3
- VJ0603A102FLJAC2L
- VJ0603A1R8FLJAC2L
- XC6122E320EL
- XC6205D472ML
- XC6205F482ML
Datasheet数据表PDF页码索引
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Vishay Siliconix 威世科技半导体
Vishay的旅程始于Felix Zandman博士和一项革命性的技术。从那时起,我们将在几十年内不断发展壮大,达到今天的地位:世界上最值得信赖的电子元件制造商之一。从分立式半导体到无源元件;从最小的二极管到最强大的电容器,Vishay我们称之为技术的DNA。® 这种DNA不仅仅是当今最重要的电子产品的基础设施,它还是实现增长的平台。Vishay处于有利地位,可以推动可持续性、连通性和移动性等及时的宏观经济增长动力。通过研发、制造、工程、质量、销售和市场营销,我们产生了必要的组件,使发明者和创新者能够创造新一代产品,这些产品跨越许多领域:汽车、工业、消费品、计算机、电信、军事、航空航天和医疗