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IRFB9N30A中文资料
IRFB9N30A产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRFB9N30A
- 功能描述
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
HEXFET®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
更新时间：2021-9-14 10:50:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
1503+ |
TO-220 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
Vishay Siliconix |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Vishay Siliconix |
21+ |
TO2203 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
|||
IR |
24+ |
TO 220 |
161549 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
IR |
23+ |
TO-220AB |
8600 |
全新原装现货 |
|||
IR |
24+ |
TO-220AB |
8866 |
||||
IR |
23+ |
TO-220 |
35890 |
||||
INTERNATIONA |
05+ |
原厂原装 |
4231 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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Vishay Siliconix 威世科技半导体
中文资料: 346123条
Vishay的旅程始于Felix Zandman博士和一项革命性的技术。从那时起，我们将在几十年内不断发展壮大，达到今天的地位：世界上最值得信赖的电子元件制造商之一。从分立式半导体到无源元件;从最小的二极管到最强大的电容器，Vishay我们称之为技术的DNA。® 这种DNA不仅仅是当今最重要的电子产品的基础设施，它还是实现增长的平台。Vishay处于有利地位，可以推动可持续性、连通性和移动性等及时的宏观经济增长动力。通过研发、制造、工程、质量、销售和市场营销，我们产生了必要的组件，使发明者和创新者能够创造新一代产品，这些产品跨越许多领域：汽车、工业、消费品、计算机、电信、军事、航空航天和医疗
