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IRF830STRRPBF中文资料
IRF830STRRPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRF830STRRPBF
- 功能描述
MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-10-6 14:04:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
TO-263 |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
IR |
23+ |
TO-263 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
IR |
23+ |
TO-263 |
7000 |
||||
IR |
24+ |
TO220AB |
330 |
原装现货假一罚十 |
|||
INTERNATIONA |
05+ |
原厂原装 |
4266 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO220 |
60000 |
全新原装现货 |
|||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO220 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
|||
IR |
23+ |
TO220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
三星 |
23+ |
QFP |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
三星 |
24+ |
TOP-3P |
5000 |
只做原装公司现货 |
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- MGBR10S45CL-TN3-R
- MGBR10S50
- MGBR10S50L-TA2-T
- MGBR20L60CL-TND-T
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- T520U157M2R5A
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- UWR-5
Datasheet数据表PDF页码索引
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