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2N7002K-T1-GE3中文资料
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DESCRIPTION
The attached spice model describes the typical electrical characteristics of the n-channel vertical DMOS. The subcircuit model is extracted and optimized over the −55 to 125°C temperature ranges under the pulsed 0-V to 10-V gate drive. The saturated output impedance is best fit at the gate bias near the threshold voltage.
CHARACTERISTICS
• N-Channel Vertical DMOS
• Macro Model (Subcircuit Model)
• Level 3 MOS
• Apply for both Linear and Switching Application
• Accurate over the −55 to 125°C Temperature Range
• Model the Gate Charge, Transient, and Diode Reverse Recovery Characteristics
2N7002K-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
2N7002K-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 60V 300mA 0.35W 2.0ohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY超低超低 |
22+ |
SOT-23 |
90000 |
全新原装现货 |
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VISHAY |
24+ |
SOT-23 |
20000 |
只有原装正品 |
|||
VISHAY |
24+ |
SOT-23 |
12000 |
原装 |
|||
VISHAY/威世 |
22+ |
SOT23 |
98800 |
欢迎来电咨询 只做原装 |
|||
Vishay(威世) |
24+ |
标准封装 |
8708 |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOT-23 |
843000 |
原装进口、正品保障、合作持久 |
|||
VISHAY |
24+ |
SOT23 |
9800 |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
|||
VISHAY |
21+ |
SOT-23 |
300000 |
全新原装公司现货
|
|||
VISHAY |
23+ |
SMD |
258000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VISHAY |
21+ |
10560 |
十年专营,原装现货,假一赔十 |
2N7002K-T1-GE3 价格
参考价格：￥0.1391
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- 8112-RC
- 8116-RC
- BZD27C4V7P
- BZT52B4V7
- BZX84C16
- D2TO035C48701KKE3
- D2TO035CR2000KKE3
- D2TO035CR6800FRE3
- D471K20Y5PL63L6R
- D501K25X5FL63L6
- DCRCWE3
- DS92LX2121
- EMI271T-RC
- EMI470T-RC
- ESDA6V1-4P6
- MC_PRE
- SN54HC04VTDE2
- STW6N95K5
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Vishay Siliconix 威世科技半导体
中文资料: 345884条
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