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VBM165R02_V01中文资料

厂家型号

VBM165R02_V01

文件大小

808.24Kbytes

页面数量

9

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

VBM165R02_V01数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive

Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

更新时间:2025-10-17 9:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI
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