位置：VBM1101M > VBM1101M详情
VBM1101M中文资料
VBM1101M数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• TrenchFET® Power MOSFET
• 175 °C Junction Temperature
• Low Thermal Resistance Package
• 100 Rg Tested
APPLICATIONS
• Isolated DC/DC Converters
更新时间：2024-9-22 15:00:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi(台湾微碧) |
2112+ |
TO-220AB |
105000 |
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
|||
VBSEMI台湾微碧 |
23+ |
TO-220AB |
22820 |
原装正品，支持实单 |
|||
24+ |
N/A |
60000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
VTL |
5PP63 |
DIP-8 |
20 |
||||
23+ |
CDIP-8 |
50 |
现货或发货一天 |
||||
VTC |
2022 |
SOP |
2300 |
原装现货,诚信经营! |
VBM1101M 资料下载更多...
VBM1101M 芯片相关型号
- 2225C100JA11A
- 2225C100JA13A
- 2225C100JAT1A
- 9571
- 9571-002U1000
- 9571-002U500
- 9574
- 9574-0025000
- 9574-002U1000
- 9574-002U500
- HS4001
- HS4002
- HS4003
- HS4004
- HS400X
- HS4011
- HS4013
- HS401X
- VBM1101M_V01
- VBM1101N
- VBM1101N_V01
- VBM1102M
- VBM1102M_V01
- VBM1102N
- VBM1102N_V01
- VBM1103
- VBM1104N
- VBM1104N_V01
- VBM1104NB
- VBM1105
VBSEMI相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9617条
微碧半导体（台湾）有限公司（VBsemi Electronics Co.,Ltd）是一家国家高新技术企业，专注于中低压MOSFET（12V~250V）、高压MOSFET（300V~1000V）、超结MOSFET（500V~1700V）功率MOSFET的制造，涵盖了晶圆开发与设计、封装与测试、销售服务及技术支持。企业研发中心位于中国台湾新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”为核心，积极开展大规模生产，致力于为中高端市场的终端制造商提供服务。公司整体生产系统严格遵循ISO9001国际质量标准，拥有20多项专利、软件著作权及各类荣誉称号。同时，企业引进了多台先进的国外设备，涵盖了功率器件的直
