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VBE1203M中文资料

厂家型号

VBE1203M

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7

功能描述

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

VBE1203M数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• TrenchFET® Power MOSFET

• 175 °C Junction Temperature

• PWM Optimized

• 100 Rg Tested

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

• Primary Side Switch

更新时间:2025-10-17 15:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi(台湾微碧)
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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