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VBA1310S_V01中文资料

厂家型号

VBA1310S_V01

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636Kbytes

页面数量

7

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode

数据手册

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简称

VBSEMI微碧半导体

生产厂商

VBsemi Electronics Co.,Ltd

中文名称

微碧半导体(台湾)有限公司官网

LOGO

VBA1310S_V01数据手册规格书PDF详情

General Description

The VBA1310S uses advanced trench technology to

provide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and

body diode characteristics. This device is suitable for

use as a synchronous switch in PWM applications.

The co-packaged Schottky Diode boosts efficiency

further.

Features

VDS (V) = 30V

ID = 12 A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 11.5mΩ (VGS = 10V)

RDS(ON) < 13mΩ (VGS = 4.5V)

SCHOTTKY

VDS (V) = 30V, IF = 3A, VF

更新时间:2025-6-19 9:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI
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VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体(台湾)有限公司

中文资料: 9674条

微碧半导体(台湾)有限公司(VBsemi Electronics Co.,Ltd)是一家国家高新技术企业,专注于中低压MOSFET(12V~250V)、高压MOSFET(300V~1000V)、超结MOSFET(500V~1700V)功率MOSFET的制造,涵盖了晶圆开发与设计、封装与测试、销售服务及技术支持。企业研发中心位于中国台湾新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”为核心,积极开展大规模生产,致力于为中高端市场的终端制造商提供服务。公司整体生产系统严格遵循ISO9001国际质量标准,拥有20多项专利、软件著作权及各类荣誉称号。同时,企业引进了多台先进的国外设备,涵盖了功率器件的直