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VB3222A中文资料

厂家型号

VB3222A

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7

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

VB3222A数据手册规格书PDF详情

General Description

The VB3222A uses advanced trench technology to provide

excellent R DS(ON) and low gate charge. A Schottky diode is

provided to facilitate the implementation of a bidirectional

blocking switch, or for DC-DC conversion applications.

Features

VDS (V) = 20V

ID = 6.0A (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 26mΩ (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 35mΩ (VGS = 2.5V)

RDS(ON) < 45mΩ (VGS = 1.8V)

SCHOTTKY

VDS (V) = 20V, IF = 1A, VF

更新时间:2021-9-14 10:50:00
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