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位置：TPC8A02-H > TPC8A02-H详情

TPC8A02-H中文资料

厂家型号	TPC8A02-H
文件大小	993.39Kbytes
页面数量	9页
功能描述	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET ＴOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode High-Efficiency DC/DC Converter Applications
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	VBsemi Electronics Co.,Ltd
简称	VBSEMI【微碧半导体】
中文名称	微碧半导体（台湾）有限公司官网
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TPC8A02-H数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Halogen-free

• TrenchFET® Power MOSFET

• Optimized for High-Side Synchronous

Rectifier Operation

• 100 Rg Tested

• 100 UIS Tested

APPLICATIONS

• Notebook CPU Core

- High-Side Switch

TPC8A02-H产品属性

类型
描述
型号
TPC8A02-H
制造商
TOSHIBA
制造商全称
Toshiba Semiconductor
功能描述
ＴOSHIBA Field Effect Transistor with Built-in Schottky Barrier Diode High-Efficiency DC/DC Converter Applications

TPC8A02-H供应商...

更新时间：2025-5-11 18:08:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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Datasheet数据表PDF页码索引

VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司

中文资料: 9673条

微碧半导体（台湾）有限公司（VBsemi Electronics Co.,Ltd）是一家国家高新技术企业，专注于中低压MOSFET（12V~250V）、高压MOSFET（300V~1000V）、超结MOSFET（500V~1700V）功率MOSFET的制造，涵盖了晶圆开发与设计、封装与测试、销售服务及技术支持。企业研发中心位于中国台湾新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”为核心，积极开展大规模生产，致力于为中高端市场的终端制造商提供服务。公司整体生产系统严格遵循ISO9001国际质量标准，拥有20多项专利、软件著作权及各类荣誉称号。同时，企业引进了多台先进的国外设备，涵盖了功率器件的直