位置：STD50N03L-1 > STD50N03L-1详情
STD50N03L-1中文资料
STD50N03L-1产品属性
- 类型
描述
- 型号
STD50N03L-1
- 功能描述
MOSFET N-Channel 30V Pwr Mosfet
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-5-16 9:12:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
IPAK |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO252 |
60000 |
||||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO252 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
|||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST |
12+ |
TO-251 |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
|||
ST |
24+ |
原厂原封 |
6523 |
进口原装公司百分百现货可出样品 |
|||
STM原厂目录 |
24+ |
IPAK |
28500 |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
|||
ST |
22+ |
IPAKTO-251 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
ST |
22+ |
IPAKTO-251 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
ST |
21+ |
TO251 |
23480 |
STD50N03L-1 资料下载更多...
STD50N03L-1 芯片相关型号
- A1425A-1CQ132B
- A1425A-1PG133B
- A1425A-CQ132B
- A1425A-PG133B
- DS90C402M/NOPB
- DS90C402MX/NOPB
- EGL41D-E3/96
- EGL41D-E3/97
- EGL41DHE3/96
- EGL41DHE3/97
- IRF7204TRPBF
- IRF9Z24PBF
- IRF9Z24PBF-BE3
- LM2524DN/NOPB
- MBRB20100CTT4
- MBRB20100CTT4G
- S7304
- S7305
- S7306
- S7307
- S7309
- SMAJ
- SMHF283R3S/KR
- STD5025NLS
- STD50N03L
- STD50N03LT4
- STD50NH02L-1
- TSU10B60
- TSU112IY
VBSEMI相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9673条
微碧半导体（台湾）有限公司（VBsemi Electronics Co.,Ltd）是一家国家高新技术企业，专注于中低压MOSFET（12V~250V）、高压MOSFET（300V~1000V）、超结MOSFET（500V~1700V）功率MOSFET的制造，涵盖了晶圆开发与设计、封装与测试、销售服务及技术支持。企业研发中心位于中国台湾新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”为核心，积极开展大规模生产，致力于为中高端市场的终端制造商提供服务。公司整体生产系统严格遵循ISO9001国际质量标准，拥有20多项专利、软件著作权及各类荣誉称号。同时，企业引进了多台先进的国外设备，涵盖了功率器件的直
