位置:SQD50N06-07L-GE3 > SQD50N06-07L-GE3详情

SQD50N06-07L-GE3中文资料

厂家型号

SQD50N06-07L-GE3

文件大小

991.77Kbytes

页面数量

7

功能描述

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

MOSFET 60V 50A 136W N-Ch Automotive

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

VBSEMI

SQD50N06-07L-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SQD50N06-07L-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 60V 50A 136W N-Ch Automotive

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-5 15:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
25+
TO252
5517
VBsemi
24+
TO252
11000
假一赔百原装正品价格优势实单可谈
VBSEMI/台湾微碧
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
VBSEMI/台湾微碧
24+
TO-252
60000
VBsemi
23+
TO252
50000
全新原装正品现货,支持订货
VBsemi
21+
TO252
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VBsemi(台湾微碧)
2447
TO-252
105000
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
VB
25+
TO-252
10000
原装现货假一罚十
VISHAY/威世
23+
TO-252
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
I
25+
TO-252
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证