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SQD40N06-14L-GE3中文资料
SQD40N06-14L-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SQD40N06-14L-GE3
- 功能描述
MOSFET 55V 40A 75W
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-5-19 10:45:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi |
23+ |
TO252-3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VBSEMI/台湾微碧 |
24+ |
TO-252 |
60000 |
全新原装现货 |
|||
VBsemi/台湾微碧 |
21+ |
TO-252 |
2918 |
原装现货假一赔十 |
|||
Vishay(威世) |
2249+ |
59902 |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
||||
VISHAY |
20+ |
TO-252 |
4857 |
全新原装 |
|||
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
VISHAY |
24+ |
SOT252 |
8500 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
VIS |
23+ |
TO-252 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
Vishay |
24+ |
NA |
3011 |
进口原装正品优势供应 |
SQD40N06-14L-GE3 价格
参考价格：￥4.5042
型号：SQD40N06-14L-GE3 品牌：Vishay 备注：这里有SQD40N06-14L-GE3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SQD40N06-14L-GE3批发/采购报价，SQD40N06-14L-GE3行情走势销售排排榜，SQD40N06-14L-GE3报价。
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- MDD21H105K5
- MDD21H105K7.5
- MDD21H154K5
- MDD21H155K7.5
- SQD40N06-14L_V01
- SQD50P06
- UBX-G7020
- UBX-G7020-CT
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VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9673条
微碧半导体（台湾）有限公司（VBsemi Electronics Co.,Ltd）是一家国家高新技术企业，专注于中低压MOSFET（12V~250V）、高压MOSFET（300V~1000V）、超结MOSFET（500V~1700V）功率MOSFET的制造，涵盖了晶圆开发与设计、封装与测试、销售服务及技术支持。企业研发中心位于中国台湾新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”为核心，积极开展大规模生产，致力于为中高端市场的终端制造商提供服务。公司整体生产系统严格遵循ISO9001国际质量标准，拥有20多项专利、软件著作权及各类荣誉称号。同时，企业引进了多台先进的国外设备，涵盖了功率器件的直
