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SQD40N06-14L-GE3中文资料

厂家型号

SQD40N06-14L-GE3

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897.46Kbytes

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6

功能描述

N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET

MOSFET 55V 40A 75W

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SQD40N06-14L-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SQD40N06-14L-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 55V 40A 75W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-6 9:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
23+
TO252-3
50000
全新原装正品现货,支持订货
VBSEMI/台湾微碧
23+
TO-252
50000
全新原装正品现货,支持订货
VBSEMI/台湾微碧
24+
TO-252
60000
全新原装现货
VISHAY
20+
TO-252
4857
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SQD40N06-14L-GE3 价格

参考价格:¥4.5042

型号:SQD40N06-14L-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SQD40N06-14L-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SQD40N06-14L-GE3批发/采购报价,SQD40N06-14L-GE3行情走势销售排排榜,SQD40N06-14L-GE3报价。