位置:SPP80N06S2L-07 > SPP80N06S2L-07详情

SPP80N06S2L-07中文资料

厂家型号

SPP80N06S2L-07

文件大小

998.27Kbytes

页面数量

7

功能描述

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

VBSEMI

SPP80N06S2L-07产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPP80N06S2L-07

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    OptiMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-8 18:27:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
21+
TO220
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VBsemi
23+
TO220
50000
全新原装正品现货,支持订货
VBsemi
24+
TO220
5000
全新原装正品,现货销售
VBsemi
24+
TO220
11000
原装正品 有挂有货 假一赔十
VBsemi
24+
TO220
25836
新到现货,只做全新原装正品
VBsemi
24+
TO220
12000
原装正品 假一罚十 可拆样
VBSEMI/台湾微碧
23+
P-TO220-3-1
50000
全新原装正品现货,支持订货
I
22+
P-TO220-3-1
6000
十年配单,只做原装
INFINEON/英飞凌
24+
TO220
60000
全新原装现货
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百